На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BC818-25E6327 | BC818-40E6327 | BC818-40LT1 | BC818-40LT1G | BC818K-16WE6327 | BC818K-25E6327 | BC818K-40E6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-323 | SOT-23 | SOT-23 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | ||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <25 В | ||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <330 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >160Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V | >60Ic, Vce = 300mA, 1V | >100Ic, Vce = 300mA, 1V | >250Ic, Vce = 100mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <170 МГц | <170 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <170 МГц | <170 МГц | <170 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||