BC808-25E6327

BC808, BC808-25E6327, BC808-25E6433, BC808-25LT1, BC808-25LT1G, BC808-25WE6327, BC808-40B6327, BC808-40E6327, BC808-40LT1, BC808-40LT1G, BC808-40WE6327

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC808-25E6327BC808-25E6433BC808-25LT1BC808-25LT1GBC808-25WE6327BC808-40B6327BC808-40E6327BC808-40LT1BC808-40LT1GBC808-40WE6327
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-323SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-323
Виробник
Виробник
Infineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorInfineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<200 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<25 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<330 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<250 мВт<330 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<250 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц<200 МГц<100 МГц<100 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<100 МГц<100 МГц<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP