BC640_J35Z

BC640, BC640-016G, BC640,112, BC640,116, BC640,126, BC640BU, BC640G, BC640_J35Z, BC640_J61Z, BC640TA, BC640TAR, BC640TF, BC640TFR, BC640ZL1, BC640ZL1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC640-016GBC640,112BC640,116BC640,126BC640BUBC640GBC640_J35ZBC640_J61ZBC640TABC640TARBC640TFBC640TFRBC640ZL1BC640ZL1G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
ON SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА<1 А<1 А<1 А<1 А<500 мА<1 А<1 А<1 А<1 А<1 А<1 А<500 мА<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<80 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт<830 мВт<830 мВт<830 мВт<1 Вт<625 мВт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<625 мВт<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 5mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 5mA, 2V>40Ic, Vce = 5mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<150 МГц<145 МГц<145 МГц<145 МГц<100 МГц<150 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<150 МГц<150 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP