На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BC639,112 | BC639,116 | BC639,126 | BC639-16ZL1 | BC639-16ZL1G | BC639_D26Z | BC639_D27Z | BC639_D74Z | BC639_D75Z | BC639_D81Z | BC639G | BC639_J35Z | BC639_L34Z | BC639RL1 | BC639RL1G | BC639ZL1 | BC639ZL1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||||||||||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||||||||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | ||||||||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <80 В | ||||||||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <830 мВт | <830 мВт | <830 мВт | <625 мВт | <800 мВт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <625 мВт | <800 мВт | <625 мВт | <800 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >63Ic, Vce = 5mA, 2V | >63Ic, Vce = 5mA, 2V | >63Ic, Vce = 5mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||||||||||||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | <180 МГц | <180 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <200 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <200 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||||||||||