BC638,112

BC638, BC638,112, BC638,116, BC638,126, BC638BU, BC638G, BC638TA, BC638TF, BC638TFR, BC638ZL1, BC638ZL1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC638,112BC638,116BC638,126BC638BUBC638GBC638TABC638TFBC638TFRBC638ZL1BC638ZL1G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А<1 А<1 А<1 А<500 мА<1 А<1 А<1 А<500 мА<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<830 мВт<830 мВт<830 мВт<1 Вт<625 мВт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<625 мВт<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<150 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<150 МГц<150 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP