На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BC636,116 | BC636BU | BC636_J35Z | BC636TA | BC636TAR | BC636TF | BC636TFR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | ||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <45 В | ||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <830 мВт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||