На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BC635,112 | BC635,116 | BC635-16,126 | BC635_D26Z | BC635_D27Z | BC635_D75Z | BC635_J35Z | BC635_L34Z | BC635RL1 | BC635RL1G | BC635ZL1 | BC635ZL1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | |||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <45 В | |||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <830 мВт | <830 мВт | <830 мВт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||||||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | <180 МГц | <180 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <200 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||||||