BC560ABU

BC560, BC560ABU, BC560ATA, BC560BBU, BC560BTA, BC560BU, BC560C, BC560CBU, BC560CG, BC560C_J35Z, BC560CTA, BC560CTAR, BC560CZL1, BC560CZL1G, BC560_J35Z

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC560ABUBC560ATABC560BBUBC560BTABC560BUBC560CBC560CBUBC560CGBC560C_J35ZBC560CTABC560CTARBC560CZL1BC560CZL1GBC560_J35Z
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<625 мВт<500 мВт<625 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<625 мВт<625 мВт<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<250 МГц<150 МГц<250 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<250 МГц<250 МГц<150 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP