BC559

BC559, BC559ABU, BC559ATA, BC559B, BC559BBU, BC559B_J35Z, BC559BTA, BC559BTAR, BC559BU, BC559C,116, BC559CBU, BC559CTA, BC559_J35Z

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC559ABUBC559ATABC559BBC559BBUBC559B_J35ZBC559BTABC559BTARBC559BUBC559C,116BC559CBUBC559CTABC559_J35Z
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<100 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP