BC556_J18Z

BC556, BC556A,112, BC556ABU, BC556ATA, BC556B, BC556B,112, BC556B,116, BC556BBU, BC556BG, BC556B_J18Z, BC556B_J35Z, BC556BTA, BC556BTAR, BC556BTF, BC556BTFR, BC556BU, BC556BZL1, BC556BZL1G, BC556CBU, BC556CTA, BC556_J18Z, BC556_J35Z, BC556TF, BC556TFR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		BC556A,112	BC556ABU	BC556ATA	BC556B	BC556B,112	BC556B,116	BC556BBU	BC556BG	BC556B_J18Z	BC556B_J35Z	BC556BTA	BC556BTAR	BC556BTF	BC556BTFR	BC556BU	BC556BZL1	BC556BZL1G	BC556CBU	BC556CTA	BC556_J18Z	BC556_J35Z	BC556TF	BC556TFR
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<65 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>125Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>180Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>180Ic, Vce = 2mA, 5V	>180Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<100 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<150 МГц	<280 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<280 МГц	<280 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	PNP
Струм відсічення колектора	I_frc	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)