BC550ABU

BC550, BC550ABU, BC550ATA, BC550B, BC550BBU, BC550B_J35Z, BC550BTA, BC550BTAR, BC550BU, BC550C, BC550C,112, BC550C,116, BC550CBU, BC550CG, BC550CTA, BC550_J35Z

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC550ABUBC550ATABC550BBC550BBUBC550B_J35ZBC550BTABC550BTARBC550BUBC550CBC550C,112BC550C,116BC550CBUBC550CGBC550CTABC550_J35Z
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<625 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<1.5 Вт<500 мВт<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 10µA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<300 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<300 МГц<250 МГц<300 МГц<300 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN