BC549_J35Z

BC549, BC549ABU, BC549ATA, BC549B, BC549BBU, BC549B_J35Z, BC549BTA, BC549BTAR, BC549BTF, BC549BTFR, BC549BU, BC549C, BC549C,112, BC549CBU, BC549CG, BC549C_J35Z, BC549CTA, BC549CTF, BC549CTFR, BC549_J35Z, BC549TAR, BC549TF, BC549TFR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		BC549ABU	BC549ATA	BC549B	BC549BBU	BC549B_J35Z	BC549BTA	BC549BTAR	BC549BTF	BC549BTFR	BC549BU	BC549C	BC549C,112	BC549CBU	BC549CG	BC549C_J35Z	BC549CTA	BC549CTF	BC549CTFR	BC549_J35Z	BC549TAR	BC549TF	BC549TFR
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>100Ic, Vce = 10µA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>100Ic, Vce = 10µA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<250 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<250 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	NPN