BC517_D26Z

BC517, BC517,112, BC517,116, BC517_D26Z, BC517_D27Z, BC517_D74Z, BC517_D75Z, BC517G, BC517_J35Z, BC517_L34Z, BC517RL1, BC517RL1G, BC517ZL1, BC517ZL1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		BC517,112	BC517,116	BC517_D26Z	BC517_D27Z	BC517_D74Z	BC517_D75Z	BC517G	BC517_J35Z	BC517_L34Z	BC517RL1	BC517RL1G	BC517ZL1	BC517ZL1G
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<500 мА	<500 мА	<1.2 А	<1.2 А	<1.2 А	<1.2 А	<1 А	<1.2 А	<1.2 А	<1 А	<1 А	<1 А	<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>30000Ic, Vce = 20mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<220 МГц	<220 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	NPN Darlington
Струм відсічення колектора	I_frc	<500 нА