BC372G

BC372, BC372G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC372G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<100 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.5 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>10000Ic, Vce = 100mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.1 ВIb, Ic = 250µA, 250mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington