BC369_D27Z

BC369, BC369,112, BC369_D27Z, BC369_D74Z, BC369G, BC369_J35Z, BC369ZL1, BC369ZL1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC369,112BC369_D27ZBC369_D74ZBC369GBC369_J35ZBC369ZL1BC369ZL1G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А<1.5 А<1.5 А<1 А<1.5 А<1 А<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<20 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<830 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>85Ic, Vce = 500mA, 1V>85Ic, Vce = 500mA, 10V>85Ic, Vce = 500mA, 10V>85Ic, Vce = 500mA, 1V>85Ic, Vce = 500mA, 10V>85Ic, Vce = 500mA, 1V>85Ic, Vce = 500mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A<500 мВIb, Ic = 100mA, 10A<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A<500 мВIb, Ic = 100mA, 10A<500 мВIb, Ic = 100mA, 10A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<140 МГц<45 МГц<45 МГц<65 МГц<45 МГц<65 МГц<65 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP