BC368

BC368, BC368,112, BC368,126, BC368_D26Z, BC368_D27Z, BC368_D74Z, BC368G, BC368_J35Z, BC368_L34Z, BC368ZL1, BC368ZL1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		BC368,112	BC368,126	BC368_D26Z	BC368_D27Z	BC368_D74Z	BC368G	BC368_J35Z	BC368_L34Z	BC368ZL1	BC368ZL1G
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<1 А	<1 А	<2 А	<2 А	<2 А	<1 А	<2 А	<2 А	<1 А	<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<20 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<830 мВт	<830 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>85Ic, Vce = 500mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 10A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 10A	<500 мВIb, Ic = 100mA, 10A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<170 МГц	<170 МГц	<45 МГц	<45 МГц	<45 МГц	<65 МГц	<45 МГц	<45 МГц	<65 МГц	<65 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	NPN