BC308_J35Z

BC308, BC308A, BC308ABU, BC308A_J35Z, BC308ATA, BC308ATF, BC308ATFR, BC308BBU, BC308BTA, BC308BU, BC308C, BC308CBU, BC308C_J35Z, BC308_J35Z, BC308TA, BC308TAR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC308ABC308ABUBC308A_J35ZBC308ATABC308ATFBC308ATFRBC308BBUBC308BTABC308BUBC308CBC308CBUBC308C_J35ZBC308_J35ZBC308TABC308TAR
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<25 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<130 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<15 нА