BC307ABU

BC307, BC307ABU, BC307ATA, BC307B, BC307BBU, BC307BG, BC307B_J35Z, BC307BRL1, BC307BRL1G, BC307BTA, BC307BTF, BC307BTFR, BC307BU, BC307BZL1G, BC307C, BC307CBU, BC307CG, BC307_J35Z

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC307ABUBC307ATABC307BBC307BBUBC307BGBC307B_J35ZBC307BRL1BC307BRL1GBC307BTABC307BTFBC307BTFRBC307BUBC307BZL1GBC307CBC307CBUBC307CGBC307_J35Z
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт<500 мВт<350 мВт<500 мВт<350 мВт<500 мВт<350 мВт<350 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<350 мВт<350 мВт<500 мВт<350 мВт<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>150Ic, Vce = 10µA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>150Ic, Vce = 10µA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>150Ic, Vce = 10µA, 5V>150Ic, Vce = 10µA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>150Ic, Vce = 10µA, 5V>270Ic, Vce = 10µA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>270Ic, Vce = 10µA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<130 МГц<130 МГц<280 МГц<130 МГц<280 МГц<130 МГц<280 МГц<280 МГц<130 МГц<130 МГц<130 МГц<130 МГц<280 МГц<280 МГц<130 МГц<280 МГц<130 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<15 нА