BC239ATA

BC239, BC239ABU, BC239ATA, BC239BBU, BC239BTA, BC239C, BC239CBU, BC239CG, BC239CTA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC239ABUBC239ATABC239BBUBC239BTABC239CBC239CBUBC239CGBC239CTA
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<25 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<350 мВт<500 мВт<350 мВт<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>270Ic, Vce = 10µA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>270Ic, Vce = 10µA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<140 МГц<250 МГц<140 МГц<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<15 нА