BC184_D27Z

BC184, BC184C, BC184C_J35Z, BC184_D27Z, BC184_J35Z, BC184L, BC184_L34Z, BC184LC, BC184LC_D27Z, BC184LC_J35Z, BC184LC_L34Z, BC184L_D27Z, BC184L_J35Z

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBC184CBC184C_J35ZBC184_D27ZBC184_J35ZBC184LBC184_L34ZBC184LCBC184LC_D27ZBC184LC_J35ZBC184LC_L34ZBC184L_D27ZBC184L_J35Z
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА<500 мА<100 мА<100 мА<500 мА<100 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<500 мА<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<350 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>250Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN