На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 50A02MH-TL-E | |
|---|---|---|
Виробник | Виробник | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <600 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 10mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <120 мВIb, Ic = 10mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <690 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP |