2STR1160

2STR1160

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2STR1160
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>180Ic, Vce = 500mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<210 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN