На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SC5810(TE12L,F) | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) |
Виробник | Виробник | Toshiba |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <2 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >400Ic, Vce = 100mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <170 мВIb, Ic = 6mA, 300mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |