2SC4617

2SC4617, 2SC4617G, 2SC4617T1, 2SC4617T1G, 2SC4617TLQ, 2SC4617TLR, 2SC4617TLS

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2SC4617G2SC4617T12SC4617T1G2SC4617TLQ2SC4617TLR2SC4617TLS
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
Виробник
Виробник
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<100 мА<150 мА<150 мА<150 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<125 мВт<125 мВт<125 мВт<150 мВт<150 мВт<150 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 1mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V>180Ic, Vce = 1mA, 6V>270Ic, Vce = 1mA, 6V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<400 мВIb, Ic = 5mA, 60mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 60mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 60mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<180 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<500 нА