На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SB1730TL | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TUMT3 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <2 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <12 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <400 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >270Ic, Vce = 200mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <180 мВIb, Ic = 50mA, 1A |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <360 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP |