2SB1308T100Q

2SB1308, 2SB1308T100P, 2SB1308T100Q, 2SB1308T100R

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2SB1308T100P2SB1308T100Q2SB1308T100R
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<3 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<20 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>82Ic, Vce = 500mA, 2V>120Ic, Vce = 500mA, 2V>82Ic, Vce = 500mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<450 мВIb, Ic = 150mA, 1.5A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<120 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP