2SB1275

2SB1275, 2SB1275TLP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2SB1275TLP
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1.5 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<160 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<10 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>82Ic, Vce = 100mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<2 ВIb, Ic = 100mA, 1A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP