На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SB1183TL | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <2 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <10 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 500mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 10.2mA, 600mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP Darlington |