На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SA2018TL | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <12 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >270Ic, Vce = 10mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <260 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP |