На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SA1930(Q,M) | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 2-10R1A (TO-220 NIS) |
Виробник | Виробник | Toshiba |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <2 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <180 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <2 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 100mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 100mA, 1A |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP |