На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SA1020G | 2SA1020RLRAG | 2SA1020-Y(TE6,F,M) | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226 | TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Toshiba |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <2 А | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <900 мВт | ||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >70Ic, Vce = 500mA, 2V | >70Ic, Vce = 500mA, 2V | >120Ic, Vce = 500mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 1A | ||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <1 мкА | ||