На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SA1015-GR(F,T) | 2SA1015-GR(TE2,F,T) | 2SA1015-O(F,T) | 2SA1015-O(TE2,F,T) | 2SA1015-Y(F,T) | 2SA1015-Y(TE2,F,T) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Long Body), TO-226 | |||||
Виробник | Виробник | Toshiba | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <150 мА | |||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <400 мВт | |||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 2mA, 6V | >200Ic, Vce = 2mA, 6V | >70Ic, Vce = 2mA, 6V | >70Ic, Vce = 2mA, 6V | >120Ic, Vce = 2mA, 6V | >120Ic, Vce = 2mA, 6V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | |||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <80 МГц | |||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |||||