На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2SA1013-O(TE6,F,M) | 2SA1013-R(TE6,F,M) | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Long Body), TO-226 | |
Виробник | Виробник | Toshiba | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <160 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <900 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 200mA, 5V | >60Ic, Vce = 200mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 50mA, 500mA | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <50 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |