2PD602AQL,215

2PD602, 2PD602AQ,115, 2PD602AQL,215, 2PD602AQL,235, 2PD602AR,115, 2PD602ARL,215, 2PD602ARL,235, 2PD602AS,115, 2PD602ASL,215, 2PD602ASL,235

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2PD602AQ,1152PD602AQL,2152PD602AQL,2352PD602AR,1152PD602ARL,2152PD602ARL,2352PD602AS,1152PD602ASL,2152PD602ASL,235
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<250 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>85Ic, Vce = 150mA, 10V>85Ic, Vce = 150mA, 10V>85Ic, Vce = 150mA, 10V>120Ic, Vce = 150mA, 10V>120Ic, Vce = 150mA, 10V>120Ic, Vce = 150mA, 10V>170Ic, Vce = 150mA, 10V>170Ic, Vce = 150mA, 10V>170Ic, Vce = 150mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 30mA, 300mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<140 МГц<140 МГц<140 МГц<160 МГц<160 МГц<160 МГц<180 МГц<180 МГц<180 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN