2PD601

2PD601, 2PD601AQ,115, 2PD601AQW,115, 2PD601AR,115, 2PD601ARL,215, 2PD601ARL,235, 2PD601ART,215, 2PD601ART,235, 2PD601ARW,115, 2PD601AS,115, 2PD601ASL,215, 2PD601ASL,235, 2PD601ASW,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2PD601AQ,1152PD601AQW,1152PD601AR,1152PD601ARL,2152PD601ARL,2352PD601ART,2152PD601ART,2352PD601ARW,1152PD601AS,1152PD601ASL,2152PD601ASL,2352PD601ASW,115
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-70-3, SOT-323-3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>160Ic, Vce = 2mA, 10V>160Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN