2PC4617

2PC4617, 2PC4617Q,115, 2PC4617QM,315, 2PC4617R,115, 2PC4617R,135, 2PC4617RM,315, 2PC4617S,115, 2PC4617SM,315

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2PC4617Q,1152PC4617QM,3152PC4617R,1152PC4617R,1352PC4617RM,3152PC4617S,1152PC4617SM,315
Корпус мікросхеми
Корпус
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-101, SOT-883EMT3 (SOT-416, SC-75-3)EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-101, SOT-883EMT3 (SOT-416, SC-75-3)EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<150 мА<100 мА<150 мА<150 мА<100 мА<150 мА<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 1mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V>180Ic, Vce = 1mA, 6V>180Ic, Vce = 1mA, 6V>180Ic, Vce = 1mA, 6V>270Ic, Vce = 1mA, 6V>270Ic, Vce = 1mA, 6V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN