На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2PB710AQ,115 | 2PB710AR,115 | 2PB710ARL,215 | 2PB710ARL,235 | 2PB710AS,115 | 2PB710ASL,215 | 2PB710ASL,235 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | ||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | ||||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >85Ic, Vce = 150mA, 10V | >120Ic, Vce = 150mA, 10V | >120Ic, Vce = 150mA, 10V | >120Ic, Vce = 150mA, 10V | >170Ic, Vce = 150mA, 10V | >170Ic, Vce = 150mA, 10V | >170Ic, Vce = 150mA, 10V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 30mA, 300mA | ||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <120 МГц | <120 МГц | <120 МГц | <140 МГц | <140 МГц | <140 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||