2PB709AQ,115

2PB709, 2PB709AQ,115, 2PB709AQW,115, 2PB709AR,115, 2PB709ARL,215, 2PB709ARL,235, 2PB709ART,215, 2PB709ART,235, 2PB709ARW,115, 2PB709AS,115, 2PB709ASL,215, 2PB709ASL,235, 2PB709ASW,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2PB709AQ,1152PB709AQW,1152PB709AR,1152PB709ARL,2152PB709ARL,2352PB709ART,2152PB709ART,2352PB709ARW,1152PB709AS,1152PB709ASL,2152PB709ASL,2352PB709ASW,115
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>160Ic, Vce = 2mA, 10V>160Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<60 МГц<60 МГц<70 МГц<70 МГц<70 МГц<70 МГц<70 МГц<70 МГц<80 МГц<80 МГц<80 МГц<80 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP