На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2PB1219AQ,115 | 2PB1219AQ,135 | 2PB1219AR,115 | 2PB1219AR,135 | 2PB1219AS,115 | 2PB1219AS,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 | |||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | |||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | |||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >85Ic, Vce = 150mA, 1V | >85Ic, Vce = 150mA, 1V | >120Ic, Vce = 150mA, 1V | >120Ic, Vce = 150mA, 1V | >170Ic, Vce = 150mA, 1V | >170Ic, Vce = 150mA, 1V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 30mA, 300mA | |||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <100 МГц | <120 МГц | <120 МГц | <140 МГц | <140 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |||||