2N6517CBU

2N6517, 2N6517BU, 2N6517CBU, 2N6517CTA, 2N6517G, 2N6517RLRA, 2N6517RLRAG, 2N6517RLRP, 2N6517RLRPG, 2N6517TA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		2N6517BU	2N6517CBU	2N6517CTA	2N6517G	2N6517RLRA	2N6517RLRAG	2N6517RLRP	2N6517RLRPG	2N6517TA
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<350 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<1.5 Вт	<1.5 Вт	<1.5 Вт	<1.5 Вт	<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>20Ic, Vce = 50mA, 10V	>20Ic, Vce = 50mA, 10V	>20Ic, Vce = 50mA, 10V	>20Ic, Vce = 1mA, 10V	>20Ic, Vce = 1mA, 10V	>20Ic, Vce = 1mA, 10V	>20Ic, Vce = 1mA, 10V	>20Ic, Vce = 1mA, 10V	>20Ic, Vce = 50mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA	<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA	<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA	<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA	<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA	<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA	<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA	<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<200 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	NPN