2N6517

2N6517, 2N6517BU, 2N6517CBU, 2N6517CTA, 2N6517G, 2N6517RLRA, 2N6517RLRAG, 2N6517RLRP, 2N6517RLRPG, 2N6517TA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2N6517BU2N6517CBU2N6517CTA2N6517G2N6517RLRA2N6517RLRAG2N6517RLRP2N6517RLRPG2N6517TA
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<350 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<1.5 Вт<1.5 Вт<1.5 Вт<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>20Ic, Vce = 50mA, 10V>20Ic, Vce = 50mA, 10V>20Ic, Vce = 50mA, 10V>20Ic, Vce = 1mA, 10V>20Ic, Vce = 1mA, 10V>20Ic, Vce = 1mA, 10V>20Ic, Vce = 1mA, 10V>20Ic, Vce = 1mA, 10V>20Ic, Vce = 50mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA<1 ВIb, Ic = 5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN