2N6427_D27Z

2N6427, 2N6427_D26Z, 2N6427_D27Z, 2N6427_D75Z, 2N6427G, 2N6427RLRA, 2N6427RLRAG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр2N6427_D26Z2N6427_D27Z2N6427_D75Z2N6427G2N6427RLRA2N6427RLRAG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1.2 А<1.2 А<1.2 А<500 мА<500 мА<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA<1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA<1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA<1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA<1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA<1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Струм відсічення колектора
Ifrc
<1 мкА