На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2N6426_D26Z | 2N6426_D74Z | 2N6426G | 2N6426RLRA | 2N6426RLRAG | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1.2 А | <1.2 А | <500 мА | <500 мА | <500 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <625 мВт | ||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >20Ic, Vce = 10mA, 5V | ||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | <1.5 ВIb, Ic = 500µA, 500mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA | <1.2 ВIb, Ic = 500µA, 50mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | ||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <1 мкА | ||||