На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2N5655G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-225-3 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <250 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <20 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >30Ic, Vce = 100mA, 10mV |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 10mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <10 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 мкА |