2N5551_J05Z

2N5551, 2N5551,116, 2N5551,412, 2N5551BU, 2N5551CBU, 2N5551CTA, 2N5551CYTA, 2N5551DI, 2N5551G, 2N5551_J05Z, 2N5551_J18Z, 2N5551_J61Z, 2N5551RL1, 2N5551RL1G, 2N5551RLRA, 2N5551RLRAG, 2N5551RLRM, 2N5551RLRMG, 2N5551RLRP, 2N5551RLRPG, 2N5551TA, 2N5551TAR, 2N5551TF, 2N5551TFR, 2N5551YBU, 2N5551YTA, 2N5551ZL1, 2N5551ZL1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		2N5551,116	2N5551,412	2N5551BU	2N5551CBU	2N5551CTA	2N5551CYTA	2N5551DI	2N5551G	2N5551_J05Z	2N5551_J18Z	2N5551_J61Z	2N5551RL1	2N5551RL1G	2N5551RLRA	2N5551RLRAG	2N5551RLRM	2N5551RLRMG	2N5551RLRP	2N5551RLRPG	2N5551TA	2N5551TAR	2N5551TF	2N5551TFR	2N5551YBU	2N5551YTA	2N5551ZL1	2N5551ZL1G
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<300 мА	<300 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<200 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<160 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<630 мВт	<630 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>80Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<150 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<150 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<300 МГц	<300 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<300 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	NPN