На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2N5550BU | 2N5550_D26Z | 2N5550G | 2N5550_J24Z | 2N5550RLRA | 2N5550RLRAG | 2N5550RLRP | 2N5550RLRPG | 2N5550TA | 2N5550TAR | 2N5550TF | 2N5550TFR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <600 мА | |||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <140 В | |||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <625 мВт | |||||||||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >60Ic, Vce = 10mA, 5V | |||||||||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | |||||||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | |||||||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||||||