2N5401

2N5401, 2N5401,116, 2N5401,412, 2N5401BU, 2N5401CTA, 2N5401CYTA, 2N5401_D10Z, 2N5401_D28Z, 2N5401_D81Z, 2N5401DI, 2N5401G, 2N5401_J05Z, 2N5401_J61Z, 2N5401NLBU, 2N5401RL1, 2N5401RL1G, 2N5401RLRA, 2N5401RLRAG, 2N5401RLRM, 2N5401RLRMG, 2N5401_S00Z, 2N5401TA, 2N5401TAR, 2N5401TF, 2N5401TFR, 2N5401YBU, 2N5401YTA, 2N5401ZL1, 2N5401ZL1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		2N5401,116	2N5401,412	2N5401BU	2N5401CTA	2N5401CYTA	2N5401_D10Z	2N5401_D28Z	2N5401_D81Z	2N5401DI	2N5401G	2N5401_J05Z	2N5401_J61Z	2N5401NLBU	2N5401RL1	2N5401RL1G	2N5401RLRA	2N5401RLRAG	2N5401RLRM	2N5401RLRMG	2N5401_S00Z	2N5401TA	2N5401TAR	2N5401TF	2N5401TFR	2N5401YBU	2N5401YTA	2N5401ZL1	2N5401ZL1G
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<300 мА	<300 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<200 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<150 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<630 мВт	<630 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<1.5 Вт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>60Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<300 МГц	<300 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<300 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<400 МГц	<300 МГц	<300 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	PNP
Струм відсічення колектора	I_frc	<50 нА