На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2N5400_D26Z | 2N5400_D27Z | 2N5400_D75Z | 2N5400_D81Z | 2N5400G | 2N5400RA | 2N5400RLRP | 2N5400RLRPG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <600 мА | |||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <120 В | |||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <625 мВт | |||||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 10mA, 5V | |||||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <400 МГц | |||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||