На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 2N5191G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-32-3, TO-126-3 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <4 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <60 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <40 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >25Ic, Vce = 1.5A, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1.4 ВIb, Ic = 1A, 4A |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <2 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <1 мА |