2N4403_D29Z

2N4403, 2N4403-AP, 2N4403BU, 2N4403_D11Z, 2N4403_D29Z, 2N4403_D81Z, 2N4403DI, 2N4403G, 2N4403_J05Z, 2N4403_J18Z, 2N4403_J60Z, 2N4403NLBU, 2N4403RL, 2N4403RLG, 2N4403RLRA, 2N4403RLRAG, 2N4403RLRM, 2N4403RLRMG, 2N4403RLRP, 2N4403RLRPG, 2N4403_S00Z, 2N4403T93, 2N4403TA, 2N4403TAR, 2N4403TF, 2N4403TFR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		2N4403-AP	2N4403BU	2N4403_D11Z	2N4403_D29Z	2N4403_D81Z	2N4403DI	2N4403G	2N4403_J05Z	2N4403_J18Z	2N4403_J60Z	2N4403NLBU	2N4403RL	2N4403RLG	2N4403RLRA	2N4403RLRAG	2N4403RLRM	2N4403RLRMG	2N4403RLRP	2N4403RLRPG	2N4403_S00Z	2N4403T93	2N4403TA	2N4403TAR	2N4403TF	2N4403TFR
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	Micro Commercial Co	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Rohm Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<100 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<600 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 10mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 1V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V	>100Ic, Vce = 150mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA	<750 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<200 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	PNP
Струм відсічення колектора	I_frc	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	<100 нА	(не задано)	<100 нА	<100 нА	<100 нА	<100 нА	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)